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电流脉冲信号被广泛应用于激光雷达驱动以及分立器件测试等领域中,与恒流信号相比,电流脉冲能够为负载带来更高的瞬时功率,且避免......
对于48V电源系统中的GaN FET应用,一种现有方法是使用基于DSP(数字信号处理器)的数字解决方案来实现高频和高效设计。这在很大程度......
日本芯片制造商东芝公司研制出一种GaN基FET,在6GHz这样的宽带无线通信协议如Wi MAX的重要频段下,其发射功率达到创记录的174W。该......
近日,德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线(QFN)封装......
设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功......
发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注。与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱......
随着新材料新器件的不断发展,宽禁带功率半导体的出现,推动了各个产业的进步,氮化镓晶体管(GaNFET)由于其寄生电容小、导通内阻小......
逆变器采用PWM控制推挽电路实现12VDC至310VDC的升压,带死区控制的SPWM技术控制全桥逆变电路实现220V正弦交流逆变,逆变功率器件使......
